半導體

港股碳化硅賽道明顯分化，天域半導體首掛破底之際，二次闖關的基本半導體能否說服市場買單 重點： 基本半導體第二度遞表港交所，上半年虧損1.77億元，按年擴大50.3% 碳化硅模塊毛損率由2022年75.5%收窄至2024年27.9%    李世達 港股今年重燃IPO熱度，多家中國半導體企業湧向資本市場。在新能源車、儲能與電網建設的長坡厚雪下，作為第三代半導體代表的碳化硅（SiC），被賦予了「國產替代核心材料」的戰略光環。然而不斷擴張的產能卻也快速侵蝕這些公司的利潤基礎，為這個賽道增添未知數。 今年以來，多家國內碳化硅企業嘗試衝擊資本市場，結局卻南轅北轍。生產碳化硅襯底材料的天岳先進（2631.HK; 688234.SH）已實現A+H雙平台上市，港股上市後一度獲市場追捧；定位於碳化硅外延片的天域半導體（2658.HK）亦成功登陸港股，但上周首掛即破底；同樣專注外延片的瀚天天成，則仍徘徊在上市大門之外。 近日，位於產業鏈中下游、業務涵蓋研發與生產碳化硅功率元件的深圳基本半導體股份有限公司更新申請文件，發起第二次港股衝關。公司已獲中國證監會境外上市備案，上市萬事俱備，只欠東風。 與多數碳化硅公司僅專注單一製程環節不同，基本半導體自成立之初即走上IDM（全流程垂直整合）路線：從晶片設計、晶圓製造到封裝，再延伸至栅極驅動器件與整體系統測試，形成封閉的產品與工藝鏈條。基本半導體屬於下游高附加值終端、模塊方案商的層級。只要能切入車企主驅逆變器、光伏儲能模塊等高端場景，其單位價值密度和客戶黏性均可大幅提升。 從業績看，公司近年增長明顯加速，2022至2024年，公司收入從1.17億元增至2.99億元，年複合增長率約60%，今年上半年則錄得1.04億元收入，按年增長52.7%。其中碳化硅模塊收入更從2022年的505萬元增至今年上半年的4,978萬元，大增8.8倍。 賣一件 賠兩件 若只看上述數據，或會對公司前景感到樂觀，但IDM與模塊化雖能提高技術門檻，卻不是「價格防護罩」。這兩年碳化硅產能擴展太快，外延片價格已從2022年的每片8,000元以上跌至2,000元以下。公司降低成本的速度遠遠跟不上價格雪崩的速度。 這導致公司長期以來的高毛損率。2022年毛損率48.5%，2023年增至59.6%，2024年雖降至9.7%，但今年上半年又增至28.8%。其中，最賠錢的碳化硅分立器件，毛損率高達194%，差不多是賣一件賠兩件。 2024年，公司主動壓縮價格競爭激烈的分立器件出貨比重，集中資源推進單價更高、附加值更大的功率模塊與系統化方案。伴隨功率模塊導入車企與工業客戶測試驗證完成並逐步量產，碳化硅模塊毛損率由2022年的毛損率75.5% 大幅改善至2024年的27.9%，加上生產基地產能利用率提升，折舊與人工成本開始被攤薄，使公司整體毛損率在2024顯著收窄。 但至2025年上半年，毛損率再度增加，公司稱這是屬於產線爬坡期的節奏性反覆。一方面，工業級模塊與功率電堆雖進入批量交付階段，上半年交付已超過1,800套工業級模塊及2,000套功率電堆，但尚未形成充足的固定成本攤薄效應，加之部分新產線處於良率調試與工藝優化期，階段性拉低整體毛利表現。 長期毛損下，公司自然不可能賺錢。2022至2024年，公司累計虧損超8億元，今年上半年虧損1.77億元，按年擴大50.3%。同時，公司經營性現金流連年淨流出，雖已逐年收窄，但今年上半年仍錄得淨流出3,929萬元，去年同期則為淨流入1,001.9萬元，所幸期內融得2.23億元，期末現金及現金等價物仍有1.8億元。 目前，資本市場對不同碳化硅賽道的態度已有分化。生產襯底為主、位處供應鏈上游的天岳先進，上市後股價累升約27%，其市銷率約為16.1倍；而上周剛剛掛牌的碳化硅外延片製造商天域半導體，上市首日即大跌三成，成為近期香港半導體IPO最慘淡的首演之一。 投資者對仍處虧損、產能尚未完全釋放的耐心正迅速消退，單憑賽道故事與技術概念已難以支撐高估值。而對基本半導體來說，成敗高度取決於新能源車及儲能模塊市佔率的擴張速度，以及量產爬坡對成本曲線的拉動效果，但若價格戰持續，毛損回升，其估值也將首當其衝。因此以更加理性的市場定價完成上市，相信有助提升市場接受度。 欲訂閱咏竹坊每周免費通訊，請點擊這裏

美國國際貿易委員會（ITC）上周就英諾賽科與英飛凌之間的專利糾紛作出有利於英諾賽科的裁決，惟最終裁定仍未出爐 重點： 英諾賽科上周在與英飛凌的337調查專利訴訟中取得對其有利的裁決，但仍面臨行業競爭加劇與利潤率受壓的挑戰 作為一家氮化鎵半導體供應商，英諾賽科今年上半年收入按年大增43%，並首次錄得毛利，但仍未實現盈利 　 陳竹 兩年前遭業界巨頭控告專利侵權後，籠罩在英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（2577.HK）頭上的烏雲似乎正逐步消散，有望為公司及其投資者消除一大隱憂。 英諾賽科與英飛凌（IFX.DE）之間自2024年3月開始的法律糾紛，一直為英諾賽科帶來重大風險，甚至在公司於一年前來港上市之際亦然。英諾賽科目前主要業務仍集中在中國，一旦裁決結果不利，未來可能被禁止向美國市場銷售部分產品。 上周此一情勢似乎略見緩和，公司公告指，美國國際貿易委員會（ITC）在本案涉及的兩項專利中，就其中一項作出了部分有利於英諾賽科的裁決。英諾賽科表示，其另一項專利相關的產品也被認定並未構成侵權。公司稱，該項裁決「進一步明確了英諾賽科相關知識產權的狀態，並將為公司未來的全球化發展掃清障礙」。 不過，英飛凌的說法則略有不同。公司在聲明中指出，ITC在訴訟涉及的其中一項專利上裁定有利於英飛凌，並補充表示，最終裁決預計將於明年4月2日作出，若初步裁決獲得確認，英諾賽科的相關產品未來可能被禁止輸往美國。 儘管如此，投資者似乎認定ITC的裁決對英諾賽科有利。公司股價在上周三公告當日雖一度下跌1.5%，但其後強勁反彈，目前較公告前水平高出近10%。 自2017年成立以來，英諾賽科一直深耕氮化鎵（GaN）技術，成為功率半導體領域的重要推動者。相比傳統硅基半導體，氮化鎵具有效率更高、開關速度更快等優勢，而英諾賽科一直是氮化鎵應用與商業化的主要推動力量。 公司在這一技術領域具備領先優勢，包括率先實現8吋氮化鎵晶圓的量產，使其有望在這個體量不大、但增長快速的市場中佔得先機。不過，隨著越來越多對手湧入賽道，競爭迅速升溫，已對公司構成重大挑戰，投資者仍應保持審慎。 大市場 大競爭 氮化鎵功率半導體市場正持續快速升溫。根據美銀（Bank of America）上月發布的研究報告，市場規模預計將由2024年的27億元（約3.82億美元），增長至2028年的192億元，年複合增長率高達63%。同樣來自美銀數據，目前英諾賽科在氮化鎵功率半導體市場居於領先地位，去年市佔率達30%，幾乎較排名第二、市佔約17%的Navitas Semiconductor（NVTS.US）多出一倍。 不過，多項因素仍使英諾賽科在未來的競爭中處於有利位置，其中最關鍵的是其採用的整合元件製造商（IDM）模式，即由公司自行負責產品從設計、製造到銷售推廣的全流程。 與將生產外包予第三方代工廠的「無晶圓廠（fabless）模式」相比，IDM模式使英諾賽科能夠對供應鏈與產品品質，掌握更高的控制權。但最大的劣勢在於成本大幅攀升，企業必須投入巨額資本興建昂貴的生產線。惟在目前情況下，垂直整合所帶來的優勢正日益顯現。以Navitas為例，其採用fabless模式，但在主要代工夥伴台積電（TSMC）宣布將於2027年退出氮化鎵製造業務後，正急於尋覓新的生產合作夥伴。 英諾賽科的商業模式亦為其帶來更為多元化的收入來源，公司不僅生產氮化鎵晶片與模組等終端產品，同時亦供應作為晶片製造基礎原料的晶圓，令其能覆蓋更完整的產業鏈收益。 近期兩項供應協議進一步突顯這一優勢，最新一項為上周英諾賽科與美國安森美半導體（ON Semiconductor）達成的合作，早前公司亦曾與歐洲意法半導體（STMicroelectronics）簽署類似協議，未來英諾賽科將向兩家企業供應氮化鎵晶圓。相關合作有助於分散英諾賽科的收入地域結構，目前公司收入仍高度集中於中國市場。 摩根士丹利在10月份的研究報告中預計，英諾賽科的收入增速將快於整體氮化鎵市場，至2027年止年複合成長率可達66%。該行將此一前景主要歸因於公司在技術上的領先地位，以及其IDM模式所帶來的競爭優勢。 這一成長趨勢已在公司近期業績中開始顯現，2025年上半年，英諾賽科收入按年大增43.4%至5.53億元（約7,110萬美元），更重要的是，公司首次錄得6.8%的毛利率。 不過，期內公司仍錄得4.29億元的淨虧損，但較去年同期虧損4.88億元有所收窄，經營狀況逐漸改善。 英諾賽科在7月亦迎來另一項重大利好，全球AI晶片龍頭英偉達（Nvidia）宣布，已選定英諾賽科為其Rubin Ultra GPU提供800V直流電源解決方案。該產品預計於2027年進入商業化階段。這標誌著英諾賽科成功打入數據中心市場，該板塊正是氮化鎵功率半導體需求增長最快的領域之一。 受一連串利好消息帶動，英諾賽科股價表現強勁。自去年12月在香港上市後，股價一路攀升，從每股30.86港元的IPO發行價上漲逾兩倍，於9月初一度逼近100港元，其後有所回落，上周五收報80.85港元。…

碳化硅賽道熱潮未退，價格卻持續下探。瀚天天成再度叩關港交所，在毛利率腰斬與補貼依賴加深之際，能否走出價格戰的泥沼，成為市場焦點 重點： 今年前五個月收入同比下降30%，毛利率持續滑落 政府補貼佔收入比重增至31.6%    李世達 碳化硅這條被譽為「第三代半導體皇冠上的明珠」的賽道，熱度雖未退卻，市場競爭卻有增無減。瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司繼今年4月後，半年內兩度叩關港交所。這家主攻碳化硅外延晶片（SiC epitaxial wafer）的企業，曾被視為中國半導體國產化的代表之一，如今正面對收入下滑，毛利率腰斬的多重挑戰。 值得注意的是，同業天岳先進（688234.SH; 2631.HK），已於今年8月成功在港股上市，成為首家「A+H股」第三代半導體材料企業。天岳先進業務涵蓋碳化硅襯底與外延片，具一體化的產業布局，相比之下，瀚天天成以外延片為主的業務結構，對下游價格波動更為敏感，面臨更嚴峻的現實考驗。 收入銳減 毛利腰斬 根據最新申請文件，公司的收入由2022年的4.41億元增至2023年的11.43億元，但2024年卻降至9.74億元，增長勢頭明顯放緩。截至2025年5月底止五個月收入為2.66億元，同比下滑30%。毛利率則從2022年的44.7%暴跌至 2025年的18.7%，幾乎腰斬。雖然公司仍有盈利，但今年前五個月的利潤已降至1,414.7萬元，較去年同期下滑33%。 公司解釋，毛利率下滑主要因產品平均售價下降及良率爬坡成本上升所致。但對比政府持續增加的補貼，這些數字揭示出即便擁有高技術門檻，碳化硅製造商也難以逃脫價格戰的壓力。 中國「十四五」規劃將第三代半導體列為戰略重點，各地政府設立專項基金，鼓勵碳化硅晶圓本土化。申請文件披露，瀚天天成在2022至2024年分別獲得政府補貼1,350萬元、4,740萬元與1.12億元；而今年截至5月底止五個月內，已獲得補貼8,400萬元，較去年同期的2,670萬元增長2.14倍。若與同期收入相比，補貼佔收入比重由2022年約 3.1%，上升到今年前五個月的31.6%。 政府補貼持續增加，業績表現卻在下滑，這意味著公司仍高度依賴政策扶持，真正的市場化現金流尚未建立。當行業面對價格下行的壓力時，瀚天天成真正的考驗才正要到來。 瀚天天成的主營產品碳化硅外延片，是功率半導體的核心中游材，廣泛應用於新能源車逆變器、快充模組與工業電源。而公司一直以「國產替代、技術領先」作為宣傳重點，尤其強調是全球首家實現8英吋碳化硅外延片量產的生產商。 然而市場情況不容樂觀，自2024年初以來，碳化硅市場因廠商加速擴產，導致市場從供不應求迅速轉為供過於求，引發激烈的價格戰。一個知名的例子是全球碳化硅大廠Wolfspeed（WOLF.US），在今年5月宣布向法院申請Chapter 11破產保護，成為價格戰下的首個犧牲者。 價格戰持續 盈利受壓 公司在申請文件中提到，2024年6英吋碳化硅外延晶片的價格約為每片7,300元，預計到2029年將降至每片4,400元，主要原因是碳化硅襯底價格下降。公司直言，如果產品定價不能保持競爭力與利潤率，公司業績將受到不利影響。 然而，瀚天天成並非沒有優勢，其在外延製程技術（epitaxial growth technology）與厚膜技術（Thick-film epitaxial growth…