BASiC Semiconductor IPO

港股碳化硅賽道明顯分化,天域半導體首掛破底之際,二次闖關的基本半導體能否說服市場買單

重點:

  • 基本半導體第二度遞表港交所,上半年虧損1.77億元,按年擴大50.3%
  • 碳化硅模塊毛損率由2022年75.5%收窄至2024年27.9%

  

李世達

港股今年重燃IPO熱度,多家中國半導體企業湧向資本市場。在新能源車、儲能與電網建設的長坡厚雪下,作為第三代半導體代表的碳化硅(SiC),被賦予了「國產替代核心材料」的戰略光環。然而不斷擴張的產能卻也快速侵蝕這些公司的利潤基礎,為這個賽道增添未知數。

今年以來,多家國內碳化硅企業嘗試衝擊資本市場,結局卻南轅北轍。生產碳化硅襯底材料的天岳先進(2631.HK; 688234.SH)已實現A+H雙平台上市,港股上市後一度獲市場追捧;定位於碳化硅外延片的天域半導體(2658.HK)亦成功登陸港股,但上周首掛即破底;同樣專注外延片的瀚天天成,則仍徘徊在上市大門之外。

近日,位於產業鏈中下游、業務涵蓋研發與生產碳化硅功率元件的深圳基本半導體股份有限公司更新申請文件,發起第二次港股衝關。公司已獲中國證監會境外上市備案,上市萬事俱備,只欠東風。

與多數碳化硅公司僅專注單一製程環節不同,基本半導體自成立之初即走上IDM(全流程垂直整合)路線:從晶片設計、晶圓製造到封裝,再延伸至栅極驅動器件與整體系統測試,形成封閉的產品與工藝鏈條。基本半導體屬於下游高附加值終端、模塊方案商的層級。只要能切入車企主驅逆變器、光伏儲能模塊等高端場景,其單位價值密度和客戶黏性均可大幅提升。

從業績看,公司近年增長明顯加速,2022至2024年,公司收入從1.17億元增至2.99億元,年複合增長率約60%,今年上半年則錄得1.04億元收入,按年增長52.7%。其中碳化硅模塊收入更從2022年的505萬元增至今年上半年的4,978萬元,大增8.8倍。

賣一件 賠兩件

若只看上述數據,或會對公司前景感到樂觀,但IDM與模塊化雖能提高技術門檻,卻不是「價格防護罩」。這兩年碳化硅產能擴展太快,外延片價格已從2022年的每片8,000元以上跌至2,000元以下。公司降低成本的速度遠遠跟不上價格雪崩的速度。

這導致公司長期以來的高毛損率。2022年毛損率48.5%,2023年增至59.6%,2024年雖降至9.7%,但今年上半年又增至28.8%。其中,最賠錢的碳化硅分立器件,毛損率高達194%,差不多是賣一件賠兩件。

2024年,公司主動壓縮價格競爭激烈的分立器件出貨比重,集中資源推進單價更高、附加值更大的功率模塊與系統化方案。伴隨功率模塊導入車企與工業客戶測試驗證完成並逐步量產,碳化硅模塊毛損率由2022年的毛損率75.5% 大幅改善至2024年的27.9%,加上生產基地產能利用率提升,折舊與人工成本開始被攤薄,使公司整體毛損率在2024顯著收窄。

但至2025年上半年,毛損率再度增加,公司稱這是屬於產線爬坡期的節奏性反覆。一方面,工業級模塊與功率電堆雖進入批量交付階段,上半年交付已超過1,800套工業級模塊及2,000套功率電堆,但尚未形成充足的固定成本攤薄效應,加之部分新產線處於良率調試與工藝優化期,階段性拉低整體毛利表現。

長期毛損下,公司自然不可能賺錢。2022至2024年,公司累計虧損超8億元,今年上半年虧損1.77億元,按年擴大50.3%。同時,公司經營性現金流連年淨流出,雖已逐年收窄,但今年上半年仍錄得淨流出3,929萬元,去年同期則為淨流入1,001.9萬元,所幸期內融得2.23億元,期末現金及現金等價物仍有1.8億元。

目前,資本市場對不同碳化硅賽道的態度已有分化。生產襯底為主、位處供應鏈上游的天岳先進,上市後股價累升約27%,其市銷率約為16.1倍;而上周剛剛掛牌的碳化硅外延片製造商天域半導體,上市首日即大跌三成,成為近期香港半導體IPO最慘淡的首演之一。

投資者對仍處虧損、產能尚未完全釋放的耐心正迅速消退,單憑賽道故事與技術概念已難以支撐高估值。而對基本半導體來說,成敗高度取決於新能源車及儲能模塊市佔率的擴張速度,以及量產爬坡對成本曲線的拉動效果,但若價格戰持續,毛損回升,其估值也將首當其衝。因此以更加理性的市場定價完成上市,相信有助提升市場接受度。

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