各自揚言勝算在握 「雙英戰」鹿死誰手？
美國國際貿易委員會（ITC）上周就英諾賽科與英飛凌之間的專利糾紛作出有利於英諾賽科的裁決，惟最終裁定仍未出爐
重點：
- 英諾賽科上周在與英飛凌的337調查專利訴訟中取得對其有利的裁決，但仍面臨行業競爭加劇與利潤率受壓的挑戰
- 作為一家氮化鎵半導體供應商，英諾賽科今年上半年收入按年大增43%，並首次錄得毛利，但仍未實現盈利
陳竹
兩年前遭業界巨頭控告專利侵權後，籠罩在英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（2577.HK）頭上的烏雲似乎正逐步消散，有望為公司及其投資者消除一大隱憂。
英諾賽科與英飛凌（IFX.DE）之間自2024年3月開始的法律糾紛，一直為英諾賽科帶來重大風險，甚至在公司於一年前來港上市之際亦然。英諾賽科目前主要業務仍集中在中國，一旦裁決結果不利，未來可能被禁止向美國市場銷售部分產品。
上周此一情勢似乎略見緩和，公司公告指，美國國際貿易委員會（ITC）在本案涉及的兩項專利中，就其中一項作出了部分有利於英諾賽科的裁決。英諾賽科表示，其另一項專利相關的產品也被認定並未構成侵權。公司稱，該項裁決「進一步明確了英諾賽科相關知識產權的狀態，並將為公司未來的全球化發展掃清障礙」。
不過，英飛凌的說法則略有不同。公司在聲明中指出，ITC在訴訟涉及的其中一項專利上裁定有利於英飛凌，並補充表示，最終裁決預計將於明年4月2日作出，若初步裁決獲得確認，英諾賽科的相關產品未來可能被禁止輸往美國。
儘管如此，投資者似乎認定ITC的裁決對英諾賽科有利。公司股價在上周三公告當日雖一度下跌1.5%，但其後強勁反彈，目前較公告前水平高出近10%。
自2017年成立以來，英諾賽科一直深耕氮化鎵（GaN）技術，成為功率半導體領域的重要推動者。相比傳統硅基半導體，氮化鎵具有效率更高、開關速度更快等優勢，而英諾賽科一直是氮化鎵應用與商業化的主要推動力量。
公司在這一技術領域具備領先優勢，包括率先實現8吋氮化鎵晶圓的量產，使其有望在這個體量不大、但增長快速的市場中佔得先機。不過，隨著越來越多對手湧入賽道，競爭迅速升溫，已對公司構成重大挑戰，投資者仍應保持審慎。
大市場 大競爭
氮化鎵功率半導體市場正持續快速升溫。根據美銀（Bank of America）上月發布的研究報告，市場規模預計將由2024年的27億元（約3.82億美元），增長至2028年的192億元，年複合增長率高達63%。同樣來自美銀數據，目前英諾賽科在氮化鎵功率半導體市場居於領先地位，去年市佔率達30%，幾乎較排名第二、市佔約17%的Navitas Semiconductor（NVTS.US）多出一倍。
不過，多項因素仍使英諾賽科在未來的競爭中處於有利位置，其中最關鍵的是其採用的整合元件製造商（IDM）模式，即由公司自行負責產品從設計、製造到銷售推廣的全流程。
與將生產外包予第三方代工廠的「無晶圓廠（fabless）模式」相比，IDM模式使英諾賽科能夠對供應鏈與產品品質，掌握更高的控制權。但最大的劣勢在於成本大幅攀升，企業必須投入巨額資本興建昂貴的生產線。惟在目前情況下，垂直整合所帶來的優勢正日益顯現。以Navitas為例，其採用fabless模式，但在主要代工夥伴台積電（TSMC）宣布將於2027年退出氮化鎵製造業務後，正急於尋覓新的生產合作夥伴。
英諾賽科的商業模式亦為其帶來更為多元化的收入來源，公司不僅生產氮化鎵晶片與模組等終端產品，同時亦供應作為晶片製造基礎原料的晶圓，令其能覆蓋更完整的產業鏈收益。
近期兩項供應協議進一步突顯這一優勢，最新一項為上周英諾賽科與美國安森美半導體（ON Semiconductor）達成的合作，早前公司亦曾與歐洲意法半導體（STMicroelectronics）簽署類似協議，未來英諾賽科將向兩家企業供應氮化鎵晶圓。相關合作有助於分散英諾賽科的收入地域結構，目前公司收入仍高度集中於中國市場。
摩根士丹利在10月份的研究報告中預計，英諾賽科的收入增速將快於整體氮化鎵市場，至2027年止年複合成長率可達66%。該行將此一前景主要歸因於公司在技術上的領先地位，以及其IDM模式所帶來的競爭優勢。
這一成長趨勢已在公司近期業績中開始顯現，2025年上半年，英諾賽科收入按年大增43.4%至5.53億元（約7,110萬美元），更重要的是，公司首次錄得6.8%的毛利率。
不過，期內公司仍錄得4.29億元的淨虧損，但較去年同期虧損4.88億元有所收窄，經營狀況逐漸改善。
英諾賽科在7月亦迎來另一項重大利好，全球AI晶片龍頭英偉達（Nvidia）宣布，已選定英諾賽科為其Rubin Ultra GPU提供800V直流電源解決方案。該產品預計於2027年進入商業化階段。這標誌著英諾賽科成功打入數據中心市場，該板塊正是氮化鎵功率半導體需求增長最快的領域之一。
受一連串利好消息帶動，英諾賽科股價表現強勁。自去年12月在香港上市後，股價一路攀升，從每股30.86港元的IPO發行價上漲逾兩倍，於9月初一度逼近100港元，其後有所回落，上周五收報80.85港元。
不過，投資者仍需留意顯著的下行風險，主要來自競爭加劇。英諾賽科正積極擴張產能，目標到2027年月產能將由今年上半年的1.3萬片提升至6萬片。然而，擴產並非其獨有動作。摩根士丹利預測，以6吋晶圓等效計算，全球氮化鎵產能將由2024年月產10萬片，暴增至2029年的34.5萬片。
半導體行業向來以「過度擴產、景氣循環劇烈」聞名，類似的快速產能擴張並不罕見。摩根士丹利預期，未來五年整體行業產能利用率雖有所改善，但仍將低於60%，意味市場將持續面臨定價與盈利壓力。基於此，該行預測英諾賽科毛利率在2026年至2027年間僅能溫和改善，而公司至少於明年之前仍將持續虧損。
整體而言，英諾賽科在高速成長的氮化鎵市場中具備成為龍頭企業的潛力，但前景仍遠未明朗。儘管公司坐擁技術優勢與多元化商業模式，在產能大幅擴張與價格壓力揮之不去的環境下，要真正實現穩定盈利仍存在不確定性。ITC最新裁決無疑是公司邁出的重要一步，但對於更為根本的競爭挑戰，仍無法帶來實質性紓解。
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